| 论文编号: | TN325 |
| 第一作者所在部门: | 微波器件与集成电路研究室(四室) |
| 论文题目: | AlGaN／GaN HEMT栅槽低损伤刻蚀技术 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 黄俊,魏珂;刘新宇 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 功能材料与器件学报 |
| 年: | 2009 |
| 卷: | 15 |
| 期: | 2 |
| 页: | 4，193-196 |
| 联系作者: | |
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| 影响因子: | |
| 摘要: | 对AlGaN／GaN HEMT栅槽低损伤刻蚀技术进行研究，通过加入小流量的具有钝化缓冲作用的C2H4，对Cl2／Ar／C2H4的工艺条件进行了优化，有效地降低了栅槽刻蚀造成的AlGaN表面损伤和器件退化，同时防止反应生成物淀积在栅槽表面，改善了肖特基结特性，提高了栅极调控能力，实现凹栅槽的低损伤刻蚀。 |
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| 外单位作者单位: | |
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