| 论文编号: | TN386.1 |
| 第一作者所在部门: | 硅器件与集成技术研究室(一室) |
| 论文题目: | LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 陈蕾;宋李梅;刘梦新;杜寰 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 半导体技术 |
| 年: | 2009 |
| 卷: | 34 |
| 期: | 10 |
| 页: | 6，968-973 |
| 联系作者: | |
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| 影响因子: | |
| 摘要: | 探讨了LDMOS器件在静电放电脉冲作用下的失效现象和机理,阐述了LDMOS器件受到静电放电脉冲冲击后出现的软击穿现象,和由于寄生npn管导通产生的大电流引起器件局部温度过高,导致金属接触孔熔融的器件二次击穿现象。分析对比了不同栅宽、不同LOCOS长度和埋层结构LDMOS器件的静电放电防护性能,证实了带埋层的深漏极注入双RESURF结构LDMOS器件在静电放电防护方面的显著优势。[著者文摘] |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
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