| 论文编号: | TN306;TN304.07 |
| 第一作者所在部门: | 硅器件与集成技术研究室(一室) |
| 论文题目: | 栅极触发PDSOI CMOS闩锁效应研究 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 曾传滨;海潮和;李多力;韩郑生 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 半导体技术 |
| 年: | 2009 |
| 卷: | 34 |
| 期: | 11 |
| 页: | 5，1135-1139 |
| 联系作者: | |
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| 摘要: | 测试了不同静态栅极触发电压（输入电压）下诱发CMOS闩锁效应需要的电源电压和输出电压（即将闩锁时的输出电压）,发现静态栅极触发CMOS闩锁效应存在触发电流限制和维持电压限制两种闩锁触发限制模式,并且此栅极触发电压-输出电压曲线是动态栅极触发CMOS闩锁效应敏感区域与非敏感区域的分界线。通过改变输出端负载电容,测试出了不同电源电压下CMOS闩锁效应需要的栅极触发电压临界下降沿,并拟合出了0 pF负载电容时的临界下降沿,最终得出了PDSOI CMOS电路存在的CMOS闩锁效应很难通过电学方法测试出来的结论。[著者文摘] |
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| 外单位作者单位: | |
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