| 论文编号: | TN305.7;TN405 |
| 第一作者所在部门: | 纳米加工与新器件集成技术研究室(三室) |
| 论文题目: | 应用于纳米制造的新型电子束抗蚀剂Calixarene的工艺研究 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 赵珉;陈宝钦;刘明;任黎明;谢常青;朱效立;安南 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 纳米技术与精密工程 |
| 年: | 2009 |
| 卷: | 7 |
| 期: | 3 |
| 页: | 4，275-278 |
| 联系作者: | |
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| 摘要: | 为了满足电子束光刻（EBL）对高分辨率、性能优秀抗蚀剂的需求,研究了将Calixarene衍生物作为电子束抗蚀剂在胶液配制、电子束曝光及显影等工艺过程中的相关技术.其中电子束曝光实验在JEOL JBX-5000LS系统上进行.实验结果表明,在入射电子能量50 keV、束流50 pA的条件下,Calixarene可以方便地形成50 nm的单线、50nm等线宽与间距的图形结构.通过与常用电子束抗蚀剂的对比,总结了Calixarene在电子束光刻性能上的优缺点,并分析了其成因.作为一种新型的高分辨率电子束光刻抗蚀剂,Calixarene有望应用在纳米结构制造、纳米尺寸器件及电路的研制等领域.[著者文摘] |
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| 外单位作者单位: | |
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