| 论文编号: | TP333.5 |
| 第一作者所在部门: | 纳米加工与新器件集成技术研究室(三室) |
| 论文题目: | 阻变存储器及其集成技术研究进展 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 左青云;刘明;龙世兵;王琴;胡媛 ;刘琦;张森;王艳;李颖弢 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 微电子学 |
| 年: | 2009 |
| 卷: | 39 |
| 期: | 4 |
| 页: | 6，546-551 |
| 联系作者: | |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | |
| 摘要: | 在各种新型非挥发性存储器中，阻变存储器（RRAM）具有成为下一代存储器的潜力。介绍了RRAM器件的基本结构，分类总结了常用的材料以及制备工艺，对RRAM阵列的集成方案进行了比较，并讨论了目前存在的问题；最后，对RRAM的研究趋势进行了展望。[著者文摘] |
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| 外单位作者单位: | |
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