| 论文编号: | TN603 |
| 第一作者所在部门: | 系统封装技术研究室(九室) |
| 论文题目: | 利用半导体pn结结电容构成的沟道式电容器 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 吕垚;李宝霞;万里兮 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 电子元件与材料 |
| 年: | 2009 |
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| 期: | 10 |
| 页: | 4，11-14 |
| 联系作者: | |
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| 摘要: | 为满足对电子系统中元器件性能提升、面积减小、成本降低等需求，利用感应耦合等离子体刻蚀技术（ICP），对低阻P型硅采用刻蚀、扩散、磁控溅射A1电极等工艺，使之形成凹槽状三维结构，制造出一种特殊的具有高密度电容量的硅基电容器。其特点是结构简单，电容量大（电容密度可达2．2×10^-9F／mm^2），容值可调，与现有微电子工艺兼容，可用于200MHz至数GHz的退耦或其他场合。同时由于半导体pn结固有的特性，该电容器可取代传统的贴片电容广泛用于电子系统中的退耦、滤波、匹配、静电和电涌防护等场合。[著者文摘] |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
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