| 论文编号: | 172511O120100078 |
| 第一作者所在部门: | 八室一组 |
| 论文题目: | 超临界二氧化碳无损伤清洗 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 王磊 |
| 论文出处: | 其他国内刊物 |
| 刊物名称: | 微纳电子技术 |
| 年: | 2010 |
| 卷: | 47 |
| 期: | 2 |
| 页: | 65-70 |
| 联系作者: | |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 0.230 |
| 摘要: | 简要回顾了传统RCA清洗工艺的历史背景和清洗原理，介绍了RCA清洗随着工艺节点减小存在的局限性。在此基础上,阐述了以超临界二氧化碳为媒质的新型清洗工艺，该工艺流程可以同时实现超临界流体清洗和干燥。并结合自主研发的绿色二氧化碳超临界半导体清洗设备，论述了利用超临界二氧化碳对硅片进行无损伤清洗的工艺原理和工艺流程。分析了近年来国内外对超临界二氧化碳清洗的研究进展，展示了在清洗方面的巨大潜力，以及在微电子行业应用中的有效性和优越性，它的成功有利于推动下一代清洗工艺的研发。 |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
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