| 论文编号: | 172511O120100120 |
| 第一作者所在部门: | 一室一组 |
| 论文题目: | SOI DTMOS温度特性研究 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 毕津顺 |
| 论文出处: | EI收录 |
| 刊物名称: | 半导体技术 |
| 年: | 2010 |
| 卷: | |
| 期: | |
| 页: | |
| 联系作者: | |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 0.284 |
| 摘要: | 对比研究了20μm/0.35μm的SOI（绝缘体上硅）普通MOS和DTMOS(动态阈值MOS)的温度特性。从20~125℃，普通MOS驱动电流减小了12.2%，而DTMOS驱动电流增大了65.3%。SOI DTMOS 降低了垂直沟道方向的电场，减少了载流子表面散射，因此阈值电压随温度减小占主导，驱动电流随温度升高而增大。SOI DTMOS优秀的温度特性，使之非常适合于低压，低功耗、高温反应。 |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出