| 论文编号: | 172511O120100183 |
| 第一作者所在部门: | 八室一组 |
| 论文题目: | 硫掺杂黑硅制备和表征 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 刘邦武 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 功能材料 |
| 年: | 2010 |
| 卷: | |
| 期: | |
| 页: | |
| 联系作者: | |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 0.588 |
| 摘要: | 利用等离子体浸没离子注入技术制备了硫掺杂黑硅。利用SEM、AES和分光光度计分别对黑硅的形貌、结构和反射率进行了测试和分析，结果表明黑硅呈现多孔组织，黑硅中的硫掺杂量为0.5%，在可见光波段黑硅的反射率小于8%。并且，根据AES的结果，讨论了等离子体浸没离子注入黑硅多孔组织的形成机理，是刻蚀作用的结果。 |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | 第七届中国功能材料及其应用学术会议 |
科研产出