| 论文编号: | 172511O120100285 |
| 第一作者所在部门: | 八室一组 |
| 论文题目: | 等离子体浸没离子注入技术与设备研究 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 刘杰 |
| 论文出处: | 其他国内刊物 |
| 刊物名称: | 半导体技术 |
| 年: | 2010 |
| 卷: | 35 |
| 期: | 7 |
| 页: | 626-629 |
| 联系作者: | |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 0.284 |
| 摘要: | 传统束线离子注入在制造超浅结时面临挑战，等离子体浸没离子注入是一种新的制造超浅结的方法。系统研究了其放电方式、线圈结构、偏压电源等核心部件，自行设计并搭建等离子体浸没离子注入系统。通过ESPion高级朗缪尔探针和计算流体力学模拟对比研究了等离子体的特性，离子密度随着偏压的增大类线性的增大；通过二次离子质谱分析了B和P注入样片，偏压为500V时注入深度在10nm左右，注入系统运行稳定。 |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
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