High performance N- and P-type gate-all-around nanowire MOSFETs fabricated on bulk Si by COMS-compatible process--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120110100
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论文题目:	High performance N- and P-type gate-all-around nanowire MOSFETs fabricated on bulk Si by COMS-compatible process
论文题目英文:
作者:
论文出处:
刊物名称:	IEEE 69th Device Research Conference (DRC)
年:	2011
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联系作者:	宋毅
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备注:	IEEE 69th Device Research Conference (DRC)