| 论文编号: | 172511O120120344 |
| 第一作者所在部门: | 四室一组 |
| 论文题目: | 基于Agilent VEE的GaN HEMT内匹配微波测试系统 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 欧阳思华 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 |
| 年: | 2012 |
| 卷: | |
| 期: | 1 |
| 页: | 268 |
| 联系作者: | 欧阳思华 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 0.301 |
| 摘要: | GaN HEMT 微波内匹配大功率器件, 因其具有体积小、重量轻、输出功率大、工作温度高等方面的优势，将在各类通信、雷达、导航等设备中得到了广泛的应用，特别是在航空、航天、相控阵雷达等特殊领域要求整机小型化方面, 具有较大的应用前景。然而，在内匹配测试过程中涉及到的步骤繁琐，牵连到的设备众多且需要实时记录各类数据，致使其测试严重的滞后整个流程。因此，该文章描述了一种自行研制的自动化的，针对于GaN HEMT内匹配的微波测试系统。 |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | 其他国内刊物 |
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