星用功率VDMOS器件SEGR效应研究--中国科学院微电子研究所

科研产出

当前位置首页科研工作科研产出论文

论文编号:	172511O120120320
第一作者所在部门:	一室
论文题目:	星用功率VDMOS器件SEGR效应研究
论文题目英文:
作者:	高博
论文出处:
刊物名称:	核技术
年:	2012
卷:	35
期:	6
页:	434
联系作者:	高博
收录类别:
影响因子:
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注:	其他国内刊物

中国科学院微电子研究所版权所有邮编：100029
单位地址：北京市朝阳区北土城西路3号，电子邮件：webadmin@ime.ac.cn
京公网安备110402500036号，京ICP备05002781号-1