| 论文编号: | 172511O120120317 |
| 第一作者所在部门: | 四室一组 |
| 论文题目: | Gate-Recessed AlGaN/GaN MOSHEMTs with the Maximum Oscillation Frequency Exceeding 120GHz on Sapphire Substrates |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 刘新宇 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | Chinese Physics Letters |
| 年: | 2012 |
| 卷: | |
| 期: | 7 |
| 页: | 078502-1 |
| 联系作者: | 刘新宇 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 1.321 |
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| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | SCI收录 |
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