氨气处理对HfO2基的阻变存储器的均一性的改善--中国科学院微电子研究所

科研产出

当前位置首页科研工作科研产出论文

论文编号:	172511O120120282
第一作者所在部门:	三室
论文题目:	氨气处理对HfO2基的阻变存储器的均一性的改善
论文题目英文:
作者:	刘明
论文出处:
刊物名称:	SEMICOND SCI TECH
年:	2012
卷:
期:	27
页:	125008-1
联系作者:	刘明
收录类别:
影响因子:	1.486
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注:	SCI收录

中国科学院微电子研究所版权所有邮编：100029
单位地址：北京市朝阳区北土城西路3号，电子邮件：webadmin@ime.ac.cn
京公网安备110402500036号，京ICP备05002781号-1