| 论文编号: | 172511O120120131 |
| 第一作者所在部门: | 二室四组 |
| 论文题目: | 辐射加固SOI 工艺FPGA 的设计与验证 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 吴利华 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 信息与电子工程 |
| 年: | 2012 |
| 卷: | 10 |
| 期: | 5 |
| 页: | 627 |
| 联系作者: | 吴利华 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | |
| 摘要: | ：进行了一款辐射加固SRAM 基VS1000 FPGA 的设计与验证。该芯片包含196 个逻辑 模块、56 个IO 模块、若干布线通道模块及编程电路模块等。每个逻辑模块由2 个基于多模式4 输 入查找表的逻辑单元组成，相对传统的4 输入查找表，其逻辑密度可以提高12%；采用编程点直 接寻址的编程电路，为FPGA 提供了灵活的部分配置功能；通过对编程点的完全体接触提高了全芯 片的抗辐射能力。VS1000 FPGA 基于中电集团第58 所0.5 μm 部分耗尽SOI 工艺进行辐射加固设计 并流片，样片的辐照试验表明，其抗总剂量水平达到1.0×105 rad(Si)，瞬态剂量率水平超过1.5×1011 rad (Si)/s，抗中子注量水平超过1.0×1014 n/cm2。 |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | 其他国内刊物 |
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