| 论文编号: | 172511O120120057 |
| 第一作者所在部门: | 一室 |
| 论文题目: | 核反应影响半导体器件单粒子翻转的Geant4的仿真 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 韩郑生 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 核技术 |
| 年: | 2012 |
| 卷: | |
| 期: | 10 |
| 页: | 765 |
| 联系作者: | 韩郑生 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 0.579 |
| 摘要: | 利用MC 工具Geant4 研究核反应对于半导体器件单粒子翻转效应(SEU)的影响，构建了研究的一般方法。辐照过程中电学与核反应物理过程的作用决定器件中敏感单元产生的淀积电荷量的分布，核反应的物理过程对于沉积较高电荷量的贡献很大。此外，利用Geant4 分析静态随机存储器(SRAM)敏感单元上的后段互连材料钨对于单粒子翻转的反应截面的影响，并进行了模拟仿真。模拟结果表明，钨层的存在会加重存储器件的单粒子翻转效应。 |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | CSCD收录 |
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