| 论文编号: | 172511O120130184 |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | 倾斜离子注入对FinFET器件亚阈值特性影响的研究 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 尹海洲 |
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| 刊物名称: | 第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 |
| 年: | 2013-07-11 |
| 卷: | |
| 期: | 1 |
| 页: | 167 |
| 联系作者: | 尹海洲 |
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| 影响因子: | |
| 摘要: | 随着MOSFET的特征尺寸按照摩尔定律不断减小并进入20nm技术节点，传统平面型结构器件由于短沟道效应日益显著，其漏电流不断增大，导致芯片静态功耗显著增加，不能满足市场对高性能低功耗集成电路的要求[1][2]。具有立体结构的多栅（Multi-Gate）器件（如FinFET、Trigate-FET）由于具有较强的栅控能力，可以有效地抑制器件的短沟道效应，进一步增加驱动电流的同时具有较小的泄漏电流，是20nm技术节点后构成集成电路的主要器件[3][4]。 |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
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