| 论文编号: | 1725110120140074 |
| 第一作者所在部门: | 四室一组 |
| 论文题目: | Effect of GaN Channel Layer Thickness on DC and RF Performance of GaN HEMTs With Composite AlGaN/GaN Buffer |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 王鑫华 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES |
| 年: | 1949 |
| 卷: | 61 |
| 期: | 5 |
| 页: | 1341 |
| 联系作者: | 王鑫华 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 2.376 |
| 摘要: | |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出