| 论文编号: | 1725110120160011 |
| 第一作者所在部门: | 研究生15 |
| 论文题目: | A 0.75dB NF LNA in GaAs pHEMT utilizing gate-drain capacitance and gradual inductor |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 王硕 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 半导体学报 |
| 年: | 2015 |
| 卷: | 36 |
| 期: | 7 |
| 页: | 075001-1-075001-6 |
| 联系作者: | 郑新年 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 0.579 |
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| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出