| 论文编号: | 1725110120150295 |
| 第一作者所在部门: | 研究生5，微电子重点实验室 |
| 论文题目: | Impact of program/erase operation on the performances of oxide-based resistive switching memory |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 王国明 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | Nanoscale Research Letters |
| 年: | 2015 |
| 卷: | 10 |
| 期: | 39 |
| 页: | 1-7 |
| 联系作者: | 龙世兵 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 2.779 |
| 摘要: | |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出