| 论文编号: | 1725110120150284 |
| 第一作者所在部门: | 研究生6，高频高压中心 |
| 论文题目: | Comparison of Single-Step and Two-Step EBL T-gates Fabrication Techniques for InP-based HEMT |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 钟英辉 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | Chinese Journal of Electronics |
| 年: | 2015 |
| 卷: | 25 |
| 期: | 2 |
| 页: | 141-145 |
| 联系作者: | 金智 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 0.319 |
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| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出