论文编号: 1725110120150218
第一作者所在部门: 先导中心
论文题目: Overshoot Stress on Ultra-Thin HfO2?High-k ?Layer and Its Impact on Lifetime Extraction
论文题目英文:
作者: 万光星
论文出处:
刊物名称: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
: 2015
: 36
: 12
: 1267-1270
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收录类别:
影响因子: 2.754
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