| 论文编号: | 1725110120150217 |
| 第一作者所在部门: | 高频高压中心 |
| 论文题目: | High RF Performance Enhancement-Mode Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs Fabricated With High-Temperature Gate-Recess Technique |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | IEEE Electron Device Letters |
| 年: | 2015 |
| 卷: | 36 |
| 期: | 8 |
| 页: | 754-756 |
| 联系作者: | 黄森 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 2.754 |
| 摘要: | |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出