论文编号: 1725110120150215
第一作者所在部门: 先导中心
论文题目: Impact of pattern dependency of SiGe layers grown selectively in source/drain on the performance of 22nm node pMOSFETs
论文题目英文:
作者:
论文出处:
刊物名称: Solid-State Electronics
: 2015
: 43
: 48
: 43-48
联系作者: 王桂磊
收录类别:
影响因子: 1.514
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注: