| 论文编号: | 1725110120150192 |
| 第一作者所在部门: | 先导中心 |
| 论文题目: | Gate-All-Around Silicon Nanowire Transistors with Channel-Last Process on Bulk Si Substrate |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 马小龙 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | IEICE Electronics Express |
| 年: | 2015 |
| 卷: | 12 |
| 期: | 7 |
| 页: | 1-6 |
| 联系作者: | 殷华湘 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 0.32 |
| 摘要: | |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出