0.2 μm FDSOI NMOSFET的背栅效应及总剂量辐射响--中国科学院微电子研究所

科研产出

当前位置首页科研工作科研产出论文

论文编号:	1725110120150162
第一作者所在部门:	研究生1，硅器件中心
论文题目:	0.2 μm FDSOI NMOSFET的背栅效应及总剂量辐射响
论文题目英文:
作者:	赵星
论文出处:
刊物名称:	第十二届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
年:	2015
卷:
期:	1
页:	32-32
联系作者:
收录类别:
影响因子:
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注: