| 论文编号: | 1725110120150157 |
| 第一作者所在部门: | 硅器件中心 |
| 论文题目: | Comparison of Decoupling Resistors and Capacitors for Increasing the Single Event Upset Resistance of SRAM Cells |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | Proceedings 2015 11th IEEE International Conference on ASIC |
| 年: | 2015 |
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| 期: | 1 |
| 页: | P1-08-1-P1-08-3 |
| 联系作者: | 郑中山 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 0 |
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| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
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