论文编号: 1725110120160284
第一作者所在部门:
论文题目: Complexity of the Total Dose Radiation Response of Fully Depleted Silicon On Insulator NMOSFETs
论文题目英文:
作者: 郑中山
论文出处:
刊物名称: International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
: 2016
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: 2
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联系作者: 郑中山
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