论文编号: 1725110120160248
第一作者所在部门:
论文题目: Accurate lifetime prediction for channel hot carrier stress on sub-1 nm equivalent oxide thickness HK/MG nMOSFET with thin titanium nitride capping layer
论文题目英文:
作者: 罗维春
论文出处:
刊物名称: Microelectronics Reliability
: 2016
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: 62
: 70
联系作者: 杨红,王文武
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