论文编号: 1725110120160240
第一作者所在部门:
论文题目: Investigation of thermal atomic layer deposited TiAlX (X = N or C) film as metal gate
论文题目英文:
作者: 项金娟
论文出处:
刊物名称: Solid-State Electronics
: 2016
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: 122
: 64
联系作者: 赵超
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