| 论文编号: | 1725110120160201 |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | FOI FinFET with Ultra-low Parasitic Resistance Enabled by Fully Metallic Source and Drain Formation on Isolated Bulk-Fin |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 张青竹 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | IEDM |
| 年: | 2016 |
| 卷: | |
| 期: | 1 |
| 页: | 1 |
| 联系作者: | 殷华湘 |
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科研产出