| 论文编号: | 1725110120160112 |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | The effect of nitridation and sulfur passivation for In (0.53)Ga (0.47)As surfaces on their Al/Al2O3/InGaAs MOS capacitors properties |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 林子曾 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 半导体学报 |
| 年: | 2016 |
| 卷: | |
| 期: | 2 |
| 页: | 1 |
| 联系作者: | 李海鸥 |
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科研产出