论文编号: 1725110120160107
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论文题目: Positive bias temperature instability degradation of buried InGaAsChannel n-MOSFETs with InGaP barrier layer and Al2O3 dielectric
论文题目英文:
作者: 王盛凯
论文出处:
刊物名称: IEEE Transactions on Magnetics
: 2016
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联系作者: 刘洪刚
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