| 论文编号: | 1725110120160095 |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | Highly scalable resistive switching memory in metal nanowire crossbar arrays fabricated by electron beam lithography |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 牛洁斌 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | J. Vac. Sci. Technol. B |
| 年: | 2016 |
| 卷: | 34 |
| 期: | 2 |
| 页: | 02G105-1 |
| 联系作者: | 龙世兵,刘明 |
| 收录类别: | |
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| 备注: | |
科研产出