教育背景
2001年9月—2005年7月 河北省河北工业大学信息工程学院 微电子学与固体电子学 本科学习，获得微电子学与固体电子学学士学位。
2006年9月—2011年7月 中国科学院微电子研究所 微电子学与固体电子学 博士研究生学习，获得微电子学与固体电子学博士学位。
工作简历
2011年7月—2014年12月 中国科学院微电子研究所 微波器件与集成电路研究室，
任职 助理研究员，从事InP高频器件及MMIC工艺开发工作;
2014年12月至2017年6月 中国科学院微电子研究所 高频高压中心，
任职 副研究员，从事InP基高频器件及MMIC研发工作;
2017年6月至2018年12月 中国科学院微电子研究所 高频高压中心，
任职 副研究员、课题组长, 从事InP基高频器件及MMIC研发工作，管理课题组综合事务;
2018年12月至2021年7月 中国科学院微电子研究所 高频高压中心，
任职 中心副主任、副研究员，从事InP基高频器件及MMIC研发工作，协助中心主任管理研发中心综合事务;
2021年7月 至今 中国科学院微电子研究所 高频高压中心，
任职 研究员、中心副主任，从事InP基高速器件及MMIC研发工作，协助中心主任管理研发中心综合事务。
长期从事InP基微波毫米波器件与集成电路研究工作，具有深厚的理论基础和丰富的实践经验。
器件及电路工艺方面，开发了InP HBT三台面器件的BCB平坦化工艺、InP材料的ICP干法刻蚀工艺，实现了0.5μm发射极宽度的器件，研制出针对毫米波功率放大器设计以及针对超高速数字电路设计的InP DHBT晶体管，器件截止频率超过250GHz，最高振荡频率大于600GHz，建立了具有独立知识产权的2~3英寸InP HBT MMIC整套工艺流程，其中关键工艺包括发射极基极金属自对准、ICP干法刻蚀、BCB平坦化、TaN电阻薄膜溅射、CVD生长SiN介质，MMIC整套工艺中集成了InP HBT晶体管、TaN电阻、SiN MIM电容、螺旋电感、CPW传输线，满足毫米波集成电路与超高速数字电路的设计与制作，从工艺方面建立了成熟可靠的InP HBT器件工艺流程。在器件模型方面，依据InP HBT器件研制工艺，建立了InP HBT大信号模型库，开发了基于InP HBT的电路设计套件，具备DRC、LVS功能，应用于InP HBT相关项目中的3mm以及超高速电路设计；基于研发的InP HBT MMIC工艺以及电路设计开发套件设计并研制了500MHz~62GHz静态分频器系列电路、10MHz~67GHz宽带混频器芯片、20Gbps DEMUX等超高速数模混合芯片。
2014年1月~2016年12月，自然基金项目“基于低频噪声机理分析的InP HBT可靠性研究” 已结题 27万元 项目负责人
2016年1月~2018年12月，高技术项目“InP DHBT 高速电路” 已结题 600万元项目负责人
2017年1月~2019年12月，高技术项目“混频器” 已结题 163万元 项目负责人
2019年1月~2024年12月，高技术项目 “InP基太赫兹器件研究”执行中 1108万元 子课题负责人
2013年1月~2015年12月，高技术项目 “InP HBT电路关键技术”已结题 200万元 项目骨干
2014年1月~2016年12月，01专项 “InP低噪声和功率MMIC”已结题 604万元 项目骨干
2014年7月~2017年12月，高技术项目 “10MHz~50GHz宽带混频器”已结题 740万元 项目骨干1、Su Yongbo, Jin Zhi, Cheng Wei, Liu Xinyu, Xu Anhuai, Qi Ming, “Ultra High-Speed InP/InGaAs DHBTs with ft of 203GHz”, Journal of Semiconductors, Vol.30, No.1, 2009, pp.014002-1~014002-3
2、Su Yongbo, Jin Zhi, Cheng Wei, Ge Ji, Wang Xintai, Chen Gaopeng, Liu Xinyu, Xu Anhuai, Qi Ming, “An InGaAs/InP 40GHz CML static Frequency divider”, Journal of Semiconductors, Vol.32, No.3, 2011, pp.035008-1~035008-4
3、 Jin Zhi, Su Yong Bo, Cheng Wei, Liu Xin-Yu, “Common-base Multi-finger Submicron InGaAs/InP Double Heterojunction bipolar transistor with fmax of 305GHz”, Solid-State Electronics, 2008, 52, pp.1825-1828
4、Jin Zhi, Su Yong Bo, Cheng Wei, Liu Xin-Yu, “High-Breakdown-Voltage Submicron InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with ft=170GHz and fmax=253GHz”, Chineses Physics Letters, Vol.25, No.7, 2008, pp.2686-2689
5、Jin Zhi, Su Yong Bo, Cheng Wei, Liu Xin-Yu, “High Current Multi-finger InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with the Maximum Oscillation Frequency 253GHz ”, Chineses Physics Letters, Vol.25, No8, 2008, pp.3075-3078
6、Jin Zhi, Su Yong Bo, Cheng Wei, Liu Xin-Yu, “High Speed InGaAs/InP Double Heterostructure Bipolar Transistor with High Breakdown Voltage ”, Chineses Physics Letters, Vol.25, No.7, 2008, pp.2683-2685
7、Zhi Jin, Yongbo Su, Jianwu Chen, Xinyu Liu, Dexin Wu, “Study of AlN dielectric film on grapheme by Raman microscopy”, Applied Physics Letters 95, 1 (2009)
8、 Wenxiang Zhen, Shurui Cao, Yongbo Su*, Zhi Jin, A Novel Design Method of SOF for InP DHBT ECL and CML Static Frequency Dividers. IEEE Microwave and Wireless Components Letters. VOL. 31, NO. 6, June 2021. SCI，IF:2.864
9、WX Zhen, Yongbo Su*, Z Jin*. et. al. “A 25-GSa/s InP DHBT Track-and-Hold Amplifier using Active Peaking Input Buffer ” 2021. IEEE Microwave and Wireless Components Letters. SCI，IF:2.864。
10、Hua Xu, Wenxiang Zhen, Shurui Cao, Yongbo Su* and Zhi Jin*. A wideband InP Gilbert-cell mixer using current bleeding and capacitive degeneration technique. IEICE Electronics Express, 2021 Vol.18, No. 13,1-6. SCI. IF:0.57 (DOI:10.1587/elex.18.20210225)
2019年荣获科技进步奖二等奖（第2完成人）
2019年荣获优秀党群干部
2017年度中科院微电子所十佳先进工作者
2014年入选中国科学院青年创新促进会会员
2012年度、2014年度所优秀员工
人才队伍