| 专利名称: | 一种半导体的掺杂技术 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 90102351.5 |
| 申请日期: | 1990-04-25 |
| 专利号: | CN1056017 |
| 第一发明人: | 李秀琼 王培大 马祥彬 孙惠玲 王纯 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明公开了一种借助在稀薄气体的两个电极间施加电压产生辉光放电引发半导体掺杂的技术。它能在实现高掺杂浓度的同时获得对浅掺入层的有效控制，并且具有掺杂均匀、损伤小等效果。该技术设备简单，操作方便，成本低廉。 |
| 其它备注: | |
科研产出