| 专利名称: | 70纳米多晶硅栅刻蚀－氟化+反应离子刻蚀方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 00135749.2 |
| 申请日期: | 2000-12-19 |
| 专利号: | CN1360088 |
| 第一发明人: | 徐秋霞 钱鹤 于雄飞 赵玉印 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种70纳米多晶硅栅刻蚀－氟化+反应离子刻蚀方法，本方法包括：步骤一：采用为氟化处理技术；步骤二：采用为70纳米电子束胶图形的转移技术；其在现有设备的基础上实现超威细加工，同时具有成本低和工艺简单的优点，实现了高保真度的图形转移，并具有较强的抗腐蚀能力。 |
| 其它备注: | |
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