| 专利名称: | 接触式曝光与电子束直写技术相结合的混合曝光方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 01118807.3 |
| 申请日期: | 2001-06-14 |
| 专利号: | CN1392593 |
| 第一发明人: | 郑英奎 和致经 吴德馨 刘明 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
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| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种接触式曝光与电子束直写技术相结合的混合曝光方法，包括：1：光刻小源漏版，用电子束直写曝光，完成源漏与有源区的欧姆接触部分和检测隔离岛腐蚀状况的方块金属；2：光刻岛版，腐蚀出有源区；3：光刻大源漏栅版，并使形成的大源漏与小源漏搭接在一起，形成完整的源漏金属区，同时形成大面积的栅金属区；4：光刻栅版，通过电子束曝光形成精细的栅条，并与步骤3形成的大面积的栅金属搭接形成完整的栅区。 |
| 其它备注: | |
科研产出