| 专利名称: | 降低易碎基片接触曝光碎片率的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 02120101.3 |
| 申请日期: | 2002-05-17 |
| 专利号: | CN1459668 |
| 第一发明人: | 张海英 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
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| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种降低易碎基片接触曝光碎片率的方法，包括如下步骤：1)取所需要的光刻版，清洗光刻版，并吹干待用；2)制作衬垫层，衬垫层平整地铺在真空吸头上；3)将光刻版装在版架上；4)将已涂好胶、待曝光的基片放置在衬垫层上，在显微镜下进行初步定位后，开真空开关，吸片；5)调整待曝光的基片与光刻版的相对位置，进行精对准；6)提高待曝光的基片的高度，使之与光刻版刚好压紧；7)按照需要的剂量进行曝光；8)降低基片高度，关闭吸气真空开关，取下基片，结束。 |
| 其它备注: | |
科研产出