| 专利名称: | 在碳化硅基衬底上获得高速电学材料结构的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 02119900.0 |
| 申请日期: | 2002-05-17 |
| 专利号: | CN1459822 |
| 第一发明人: | 张海英 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明一种在碳化硅基衬底上获得高速电学材料结构的方法，包括如下步骤：1)取表面生长有碳化硅单晶层的硅材料或碳化硅单晶材料，进行清洗处理，作为高速器件结构的外延的衬底；2)在碳化硅单晶外延层上生长晶格渐变过渡层；3)进行电学结构生长；4)利用获得的材料制作器件或电路；5)器件或电路正面工艺结束后，将背面的硅去掉，以保证器件的良好散热性能。 |
| 其它备注: | |
科研产出