| 专利名称: | 一种光开关的设计及制作工艺 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200610002666.6 |
| 申请日期: | 2006-01-26 |
| 专利号: | CN101008694 |
| 第一发明人: | 董立军 陈大鹏 欧 易 景玉鹏 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及光纤通讯和微细加工技术领域，特别是一种光开关的设 计及制作工艺。a.用LPCVD低压化学气象淀积在双面抛光的硅片上双面 淀积低应力氮化硅厚度；b.正面光刻氮化硅悬臂梁图形；c.RIE反 应离子刻蚀形成氮化硅悬臂梁图形；d.背面光刻出腐蚀窗口和光纤沟槽 腐蚀窗口；e.RIE反应离子刻蚀形成腐蚀窗口和光纤沟槽腐蚀窗口；f.涂 胶光刻并电子束蒸发金薄膜；g.显影剥离形成金电极；h.KOH溶液在 80摄氏度下腐蚀8小时形成氮化硅悬臂梁和光纤沟槽；i.光刻，电子束 蒸发剥离形成下极板；j.键和两片硅片。 |
| 其它备注: | |
科研产出