| 专利名称: | 基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列的制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200610066888.4 |
| 申请日期: | 2006-03-31 |
| 专利号: | CN101047149 |
| 第一发明人: | 石莎莉 陈大鹏 景玉鹏 殴 毅 董立军 叶甜春 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
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| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列，其与反光板 连接的悬臂梁固支在利用各向同性腐蚀出的近似楔型硅柱上，其阵列中 单元结构分为独立式和嵌套式。该非制冷红外焦平面阵列器件的工艺步 |
| 其它备注: | |
科研产出