| 专利名称: | 磷化铟异质结双极型晶体管自对准发射极的制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200610089346.9 |
| 申请日期: | 2006-06-21 |
| 专利号: | CN101093803 |
| 第一发明人: | 于进勇 刘新宇 夏 洋 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种InP HBT自对准发射极的制作方法，包括：A.在 InP HBT外延层结构表面涂敷负性光刻胶，对涂敷的负性光刻胶进行曝光、 反转、显影处理，形成发射极窗口图形；B.在InP HBT外延层结构表面 蒸发/溅射发射极材料；C.将负性光刻胶及其上方沉积的发射极材料从InP HBT外延层结构表面剥离，形成发射极；D.以形成的发射极为掩模，腐 蚀InP HBT外延层结构的盖帽层和发射极层，形成发射极台面；E.在InP HBT外延层结构表面涂敷正性光刻胶，对涂敷的正性光刻胶进行曝光、显 影处理，形成基极窗口图形；F.在InP HBT外延层结构表面蒸发/溅射一 层金属电极材料；G.将正性光刻胶及其上方沉积的金属电极材料从InP HBT外延层结构表面剥离。 |
| 其它备注: | |
科研产出