| 专利名称: | 一种硅基侧栅单电子晶体管及其制作方法 |
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| 申请号: | 200610109561.0 |
| 申请日期: | 2006-08-10 |
| 专利号: | CN101123272 |
| 第一发明人: | 龙世兵 王 琴 李志刚 刘 明 陈宝钦 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种硅基侧栅单电子晶体管，该单电子晶体管包括：库 仑岛、位于库仑岛两侧的源和漏、连接库仑岛与源的隧道结、连接库仑岛 与漏的隧道结、位于库仑岛侧面的栅介质和侧栅、源上沉积的源电极、漏 上沉积的漏电极、以及侧栅上沉积的侧栅电极。本发明同时公开了一种硅 基侧栅单电子晶体管的制作方法。利用本发明，提高了单电子晶体管的可 靠性及与传统CMOS工艺的兼容性，简化了制作工艺，降低了制作成本， 提高了制作效率。 |
| 其它备注: | |
科研产出