| 专利名称: | 一种SOI基顶栅单电子晶体管及其制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200610112107.0 |
| 申请日期: | 2006-08-09 |
| 专利号: | CN101123274 |
| 第一发明人: | 龙世兵 陈杰智 刘 明 陈宝钦 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种绝缘体上硅SOI基顶栅单电子晶体管，该单电子晶 体管包括：库仑岛、位于库仑岛两侧的源和漏、连接库仑岛与源和漏的两 个隧道结、位于库仑岛上面的栅介质和多晶硅栅、源上沉积的源电极、漏 上沉积的漏电极、以及顶栅上沉积的顶栅栅电极。本发明同时公开了一种 SOI基顶栅单电子晶体管的制备方法。利用本发明，大大提高了单电子晶 体管的可靠性及与传统CMOS工艺的兼容性，简化了制备工艺、降低了制 备成本，并提高了制备效率。 |
| 其它备注: | |
科研产出