| 专利名称: | 一种砷化镓PIN二极管及其制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200610112885.X |
| 申请日期: | 2006-09-06 |
| 专利号: | CN101140955 |
| 第一发明人: | 杨 浩 张海英 吴茹菲 |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种GaAs PIN二极管，该GaAs PIN二极管包括：用于 支撑整个GaAs PIN二极管的半绝缘GaAs衬底；在半绝缘GaAs衬底上外 延生长的高掺杂N+层，在高掺杂N+层上依次外延生长的接近本征的高阻 I层和P+层；通过采用湿法刻蚀，所述高掺杂N+层、高阻I层和P+层的面 积依次减小形成台面结构；在P+层上蒸发金属形成的圆形结构上电极；在 N+层上蒸发金属形成的半环形结构下电极。本发明同时公开了一种GaAs PIN二极管的制作方法。利用本发明，不增加工艺难度的前提下有效降低 了PIN二极管的寄生电容，同时，连接上电极的微带线大大缩短，由其引 入的寄生电感可以大幅减小，甚至可以忽略，无需使用空气桥工艺，制作 简便，能够获得更好的高频特性，且易于实现单片集成。 |
| 其它备注: | |
科研产出