| 专利名称: | 基于多晶硅特性制作热剪切应力传感器的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710064856.5 |
| 申请日期: | 2007-03-28 |
| 专利号: | CN101274738 |
| 第一发明人: | 易 亮 欧 毅 陈大鹏 景玉鹏 叶甜春 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及微机电技术领域，公开了一种基于多晶硅特性制作热剪切 应力传感器的方法，该方法包括：A、在硅片的正面和背面淀积氮化硅薄 膜；B、保护正面，对背面进行光刻，刻蚀形成氮化硅薄膜窗口以及划片 槽；C、在正面淀积多晶硅薄膜，进行磷重掺杂，光刻，打底胶，表面淀 积铬薄膜，剥离，刻蚀形成多晶硅薄膜电阻条；D、在正面淀积一层氮化 硅薄膜，钝化多晶硅；E、腐蚀背面体硅，形成腔体；F、正面光刻，打底 胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀形成接触孔；G、正面光刻，电子束蒸 发金属铝Al，剥离，形成电极；H、背面与硼硅玻璃进行阳极键合。利用 本发明，减少了热量散失，简化了工艺过程，大大提高了器件灵敏度。 |
| 其它备注: | |
科研产出