专利名称: 一种半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置
专利类别:
申请号: 200710064855.0
申请日期: 2007-03-28
专利号: CN101275805
第一发明人: 刘茂哲 景玉鹏 陈大鹏 欧 毅 叶甜春
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要: 本发明公开了一种半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置,包括:超
临界干燥室,用于牺牲层的释放,由高压反应室和温度控制室组成;高压
反应室用于盛放硅片支架,提供二氧化碳置换和气化干燥的反应室,与二
氧化碳气瓶相连,且高压反应室的外壁上安装有半导体制冷环;温度控制
室通过蒸发器盘管与高压反应室相连,实现高压反应室的制冷和加热;分
离减压室通过管道与高压反应室相连,用于减压后将醇类和二氧化碳分
离;所述超临界干燥室与分离减压室通过支座台固定连接。利用本发明,
解决了微细加工中干燥时粘连的问题,并降低了液体二氧化碳的消耗量,
达到了节约能源的目的,与二氧化碳制冷或氟里昂制冷相比,结构简单,
无噪音,无污染,制冷速度快。
其它备注: