| 专利名称: | 金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的测试方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710064858.4 |
| 申请日期: | 2007-03-28 |
| 专利号: | CN101275983 |
| 第一发明人: | 海潮和 韩郑生 周小茵 赵立新 李多力 李 晶 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 一种金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的测试方法，是在 SOI-CMOS电路的背衬底连接一地电位或电源电位。其中，测试NMOS 的阈值电压时，背衬底连接地电位；测试PMOS的阈值电压时，背衬底连 接负电源电位。测试NMOS的阈值电压时，背衬底连接电源电位；测试 PMOS的阈值电压时，背衬底连接地电位。本发明将SOI-CMOS电路的背 衬底固定在一定的电位，SOI电路中的N、PMOS器件的工作，是处于完 全不同的背栅偏置下。因此，单独表征N、PMOS的阈值电压的条件相应 要改变，这样才能正确认识和控制阈值电压以便保障SOI电路的正常工 作。 |
| 其它备注: | |
科研产出